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2SC3663
 型号：  2SC3663
 标记/丝印/代码/打字：  R62
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  1500
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SC3663 R62 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 8V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 5mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 4GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 50~250
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 50mW
Description & Applications NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION FEATURES ? Low-voltage, low-current, low-noise and high-gain NF = 3.0 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 250 PA, f = 1.0 GHz GA = 3.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 250 PA, f = 1.0 GHz ? Ideal for battery drive of pagers, compact radio equipment,cordless phones, etc. ? Gold electrode gives high reliability. ? Mini mold package, ideal for hybrid ICs.
描述与应用 NPN外延硅晶体管 高频低噪声放大 特点 ?低电压，低电流，低噪声和高增益 ??NF= 3.0 dB（典型值）。 @ VCE= 1 V，IC=250 PA，F =1.0 GHz时 ??GA= 3.5 dB（典型值）。 @ VCE= 1 V，IC=250 PA，F =1.0 GHz时 ?非常适于紧凑型无线电设备，无绳电话，等电池驱动的寻呼机， ?金电极给出了很高的可靠性。 ?迷你模具包装，混合集成电路的理想选择。
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